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省新实施【图文导读】图一：示意图及理化表征(a)基于GaSe的具有FET结构的二维忆阻器原理图。发展以Ag为电极的忆阻器具有非易失的双极RS特性。
此外，促进Vg不仅可以调节基于GaSe的FET的传输特性，还可以调节基于GaSe的忆阻器中的VSET和VRESET，这表明可以应用在低功耗和复杂功能的多端子电子器件。此外，条例基于GaSe的忆阻器同时显示出长期保留（~104s）和高循环耐久性（~5000次循环）。月起（b）Ag/GaSe/Ag忆阻器的50个实验开关回路。
其中，正式硒化镓（GaSe）是p型半导体，其间接带隙大约为2.0eV，直接带隙不小于25meV。河北图三：基于GaSe的忆阻器一周后的电阻开关行为（a）2V工作电压下GaSe忆阻器的I-V特征曲线。
除了TMD之外，省新实施2D层状III-VI半导体材料由于其较好的电学和光学性质而备受关注。
此外，发展已经报道了一系列2D材料中的各种RS行为，包括氧化石墨烯，过渡金属二硫化物（TMD），六方氮化硼和黑磷。促进另一种解决方案则是支持同时控制多款设备的应用。
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